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鄭州變頻器維修三相逆變器中IGBT的幾種驅(qū)動電路的分析

發(fā)布時間:2019-08-05 10:07:37來源:

鄭州變頻器維修三相逆變器中IGBT的幾種驅(qū)動電路的分析
摘要:對幾種三相逆變器中常用的IGBT驅(qū)動專用集成電路進(jìn)行了詳細(xì)的分析,對TLP250、EXB8系列和M579系列進(jìn)行了深入的討論,給出了它們的電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能方框圖,還給出了它們的典型應(yīng)用電路。討論了它們的使用要點及注意事項。對每種驅(qū)動芯片進(jìn)行了IGBT的驅(qū)動實驗,通過有關(guān)的波形驗證了它們的特點。比較后得出結(jié)論:IGBT驅(qū)動集成電路的發(fā)展趨勢是集過流保護(hù)、驅(qū)動信號放大功能、能夠外接電源且具有很強抗干擾能力等于一體的復(fù)合型電路。
關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極晶體管;集成電路;過流保護(hù)?
1前言
電力電子變換技術(shù)的發(fā)展,使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發(fā)展。20世紀(jì)80年代,為了給高電壓應(yīng)用環(huán)境提供一種高輸入阻抗的器件,有人提出了絕緣門極雙極型晶體管(IGBT)[1]。在IGBT中,用一個MOS門極區(qū)來控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸,這就產(chǎn)生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相結(jié)合的非常誘人的器件,它具有控制功率小、開關(guān)速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源(UPS)和交流電機調(diào)速系統(tǒng)的設(shè)計中,它是目前比較為常見的一種器件。
功率器件的不斷發(fā)展,使得其驅(qū)動電路也在不斷地發(fā)展,相繼出現(xiàn)了許多專用的驅(qū)動集成電路。IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓,柵極電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動電路時,必須基于以下的參數(shù)來進(jìn)行:器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。圖1為一典型的IGBT驅(qū)動電路原理示意圖。因為IGBT柵極?發(fā)射極阻抗大,故可使用MOSFET驅(qū)動技術(shù)進(jìn)行觸發(fā),不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大,故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動電路提供的偏壓更高。
對IGBT驅(qū)動電路的一般要求
1)柵極驅(qū)動電壓IGBT開通時,正向柵極電壓的值應(yīng)該足夠令I(lǐng)GBT產(chǎn)生完全飽和,并使通態(tài)損耗減至比較小,同時也應(yīng)限制短路電流和它所帶來的功率應(yīng)力。在任何情況下,開通時的柵極驅(qū)動電壓,應(yīng)該在12~20V之間。當(dāng)柵極電壓為零時,IGBT處于斷態(tài)。但是,為了保證IGBT在集電極?發(fā)射極電壓上出現(xiàn)dv/dt噪聲時仍保持關(guān)斷,必須在柵極上施加一個反向關(guān)斷偏壓,采用反向偏壓還減少了關(guān)斷損耗。反向偏壓應(yīng)該在-5~-15V之間。
2)串聯(lián)柵極電阻(Rg)選擇適當(dāng)?shù)臇艠O串聯(lián)電阻對IGBT柵極驅(qū)動相當(dāng)重要。IGBT的開通和關(guān)斷是通過柵極電路的充放電來實現(xiàn)的,因此柵極電阻值將對IGBT的動態(tài)特性產(chǎn)生極大的影響。數(shù)值較小的電阻使柵極電容的充放電較快,從而減小開關(guān)時間和開關(guān)損耗。所以,較小的柵極電阻增強了器件工作的耐固性(可避免dv/dt帶來的誤導(dǎo)通),但與此同時,它只能承受較小的柵極噪聲,并可能導(dǎo)致柵極-發(fā)射極電容和柵極驅(qū)動導(dǎo)線的寄生電感產(chǎn)生振蕩。
3)柵極驅(qū)動功率IGBT要消耗來自柵極電源的功率,其功率受柵極驅(qū)動負(fù)、正偏置電壓的差值ΔUGE、柵極總電荷QG和工作頻率fs的影響。電源的比較大峰值電流IGPK為:
在本文中,我們將對幾種比較新的用于IGBT驅(qū)動的集成電路做一個詳細(xì)的介紹,討論其使用方法和優(yōu)缺點及使用過程中應(yīng)注意的問題。
2幾種用于IGBT驅(qū)動的集成芯片
2.1TLP250(TOSHIBA公司生產(chǎn))
在一般較低性能的三相電壓源逆變器中,各種與電流相關(guān)的性能控制,通過檢測直流母線上流入逆變橋的直流電流即可,如變頻器中的自動轉(zhuǎn)矩補償、轉(zhuǎn)差率補償?shù)取M瑫r,這一檢測結(jié)果也可以用來完成對逆變單元中IGBT實現(xiàn)過流保護(hù)等功能。因此在這種逆變器中,對IGBT驅(qū)動電路的要求相對比較簡單,成本也比較低。這種類型的驅(qū)動芯片主要有東芝公司生產(chǎn)的TLP250,夏普公司生產(chǎn)的PC923等等。這里主要針對TLP250做一介紹。
?? TLP250包含一個GaAlAs光發(fā)射二極管和一個集成光探測器,8腳雙列封裝結(jié)構(gòu)。適合于IGBT或電力MOSFET柵極驅(qū)動電路。圖2為TLP250的內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡圖,表1給出了其工作時的真值表。
TLP250的典型特征如下:
1)輸入閾值電流(IF):5mA(比較大);
2)電源電流(ICC):11mA(比較大);
3)電源電壓(VCC):10~35V;
4)輸出電流(IO):±0.5A(比較小);
5)開關(guān)時間(tPLH/tPHL):0.5μs(比較大);
6)隔離電壓:2500Vpms(比較小)。
表2給出了TLP250的開關(guān)特性,表3給出了TLP250的推薦工作條件。
注:使用TLP250時應(yīng)在管腳8和5間連接一個0.1μF的陶瓷電容來穩(wěn)定高增益線性放大器的工作,提供的旁路作用失效會損壞開關(guān)性能,電容和光耦之間的引線長度不應(yīng)超過1cm。
圖3和圖4給出了TLP250的兩種典型的應(yīng)用電路。
在圖4中,TR1和TR2的選取與用于IGBT驅(qū)動的柵極電阻有直接的關(guān)系,例如,電源電壓為24V時,TR1和TR2的Icmax≥24/Rg。
圖5給出了TLP250驅(qū)動IGBT時,1200V/200A的IGBT上電流的實驗波形(50A/10μs)。可以看出,由于TLP250不具備過流保護(hù)功能,當(dāng)IGBT過流時,通過控制信號關(guān)斷IGBT,IGBT中電流的下降很陡,且有一個反向的沖擊。這將會產(chǎn)生很大的di/dt和開關(guān)損耗,而且對控制電路的過流保護(hù)功能要求很高。
TLP250使用特點:
1)TLP250輸出電流較小,對較大功率IGBT實施驅(qū)動時,需要外加功率放大電路。
2)由于流過IGBT的電流是通過其它電路檢測來完成的,而且僅僅檢測流過IGBT的電流,這就有可能對于IGBT的使用效率產(chǎn)生一定的影響,比如IGBT在安全工作區(qū)時,有時出現(xiàn)的提前保護(hù)等。
3)要求控制電路和檢測電路對于電流信號的響應(yīng)要快,一般由過電流發(fā)生到IGBT可靠關(guān)斷應(yīng)在10μs以內(nèi)完成。
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4)當(dāng)過電流發(fā)生時,TLP250得到控制器發(fā)出的關(guān)斷信號,對IGBT的柵極施加一負(fù)電壓,使IGBT硬關(guān)斷。這種主電路的dv/dt比正常開關(guān)狀態(tài)下大了許多,造成了施加于IGBT兩端的電壓升高很多,有時就可能造成IGBT的擊穿。
2.2EXB8..Series(FUJIELECTRIC公司生產(chǎn))
隨著有些電氣設(shè)備對三相逆變器輸出性能要求的提高及逆變器本身的原因,在現(xiàn)有的許多逆變器中,把逆變單元IGBT的驅(qū)動與保護(hù)和主電路電流的檢測分別由不同的電路來完成。這種驅(qū)動方式既提高了逆變器的性能,又提高了IGBT的工作效率,使IGBT更好地在安全工作區(qū)工作。這類芯片有富士公司的EXB8..Series、夏普公司的PC929等。在這里,我們主要針對EXB8..Series做一介紹。
EXB8..Series集成芯片是一種專用于IGBT的集驅(qū)動、保護(hù)等功能于一體的復(fù)合集成電路。廣泛用于逆變器和電機驅(qū)動用變頻器、伺服電機驅(qū)動、UPS、感應(yīng)加熱和電焊設(shè)備等工業(yè)領(lǐng)域。具有以下的特點:
1)不同的系列(標(biāo)準(zhǔn)系列可用于達(dá)到10kHz開關(guān)頻率工作的IGBT,高速系列可用于達(dá)到40kHz開關(guān)頻率工作的IGBT)。
2)內(nèi)置的光耦可隔離高達(dá)2500V/min的電壓。
3)單電源的供電電壓使其應(yīng)用起來更為方便。
4)內(nèi)置的過流保護(hù)功能使得IGBT能夠更加安全地工作。
5)具有過流檢測輸出信號。
6)單列直插式封裝使得其具有高密度的安裝方式。
常用的EXB8..Series主要有:標(biāo)準(zhǔn)系列的EXB850和EXB851,高速系列的EXB840和EXB841。其主要應(yīng)用場合如表4所示。
注:1)標(biāo)準(zhǔn)系列:驅(qū)動電路中的信號延遲≤4μs
2)高速系列:驅(qū)動電路中的信號延遲≤1.5μs
圖6給出了EXB8..Series的功能方框圖。
表5給出了EXB8..Series的電氣特性。
表6給出了EXB8..Series工作時的推薦工作條件。表6EXB8..Series工作時的推薦工作條件
圖7給出了EXB8..Series的典型應(yīng)用電路。
EXB8..Series使用不同的型號,可以達(dá)到驅(qū)動電流高達(dá)400A,電壓高達(dá)1200V的各種型號的IGBT。由于驅(qū)動電路的信號延遲時間分為兩種:標(biāo)準(zhǔn)型(EXB850、EXB851)≤4μs,高速型(EXB840、EXB841)≤1μs,所以標(biāo)準(zhǔn)型的IC適用于頻率高達(dá)10kHz的開關(guān)操作,而高速型的IC適用于頻率高達(dá)40kHz的開關(guān)操作。在應(yīng)用電路的設(shè)計中,應(yīng)注意以下幾個方面的問題:
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