IFCN AIM
2007.09
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IGBT模塊的損耗
􀂄 IGBT模塊的損耗源于內部IGBT和二極管（續流FWD、整流）芯片的損耗，
主要是IGBT和FWD產生的損耗。
􀂄 IGBT不是一個理想開關，體現在：
1）IGBT在導通時有飽和電壓– Vcesat
2）IGBT在開關時有開關能耗–Eon和Eoff
這是IGBT產生損耗的根源。Vcesat造成導通損耗，Eon和Eoff造成開關
損耗。導通損耗 + 開關損耗= IGBT總損耗。
􀂄 FWD也存在兩方面的損耗，因為：
1）在正向導通（即續流）時有正向導通電壓：Vf
2）在反向恢復的過程中有反向恢復能耗：Erec。
Vf造成導通損耗，Erec造成開關損耗。導通損耗 + 開關損耗= FWD總
損耗。
􀂄 Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec體現了IGBT/FWD芯片的技術特征。因此
IGBT/FWD芯片技術不同，Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec也不同。

SKKT106/16E  SKKT253/16E  PK130FG160  PK110F/160  PK250HB160

PK55F/160   PWB130A40  PWB100A40  PWB80A40  FS450R12KE3 

FS300R12KE3  7MBP150RA120  160MT160  DDB6U100N16R 

DDB6U100N16RR  DFA75BA160  DFA100BA160  BSM100GD120DN2

BSM100GD120DLC PDT4004  PDT4008  PDT40012   FP25R12KT3 

FP25R12KE3 FP50R12KE3  FP50R12KT3  FP75R12KE3  FP75R12KT3 

BSM100GB120DN2  BSM100GB120DLC  BSM150GB120DN2 

BSM200GB120DN2 BSM300GB120DLC TT162N16   

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