IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

    1.IGBT的特點：

    （1）柵極的絕緣電阻無窮大，只要向柵極充入一定的正電荷，使得柵極電壓大于導通電壓，管子就會導通，并且導通程度深，線性范圍很窄。這一點類似于MOS管。
    （2）由于柵極的絕緣電阻無窮大，因此電荷能夠一直保存，即開通后可以一直開通。而且當柵極開路時，也常會處于開通狀態。正因為這個特性，驅動IGBT的電路不需要提供很大的持續電流。但這容易引起誤導通，為了防止誤導通，柵極G和發射極E之間必須跨接一只電阻。不少第一次接觸MOS管和IGBT的用戶就是因為沒有跨接此電阻而燒了管子。跨接電阻一般為10k歐/0.25W。
    （3）柵極電容的耐壓是有一點限度的，一般是±20V，當超過此限度，可能會燒壞。因此，柵極要加一對穩壓二極管，用于吸收過高的電壓。穩壓二極管一般頭對頭串聯，每只是18V/1W，限制的電壓范圍是±18.7V左右。

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