不同的內反饋調速技術方案比較
發布時間：2019-07-11 11:56:36來源：
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| 方案1：可控硅串級調速 | 方案2：可控硅斬波調速 | 方案3：IGBT斬波調速 | ||
| 一次電路方案和結構比較 | 方案簡述 |
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| 采用元件差別 |
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| 全部元件模塊結構，其中：
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| 結構差別 | 平板型元件的散熱器是帶電的，因此安裝時須將散熱器懸空或利用絕緣子支撐起來，元件在散熱器的中心，整體置于風道內 | 同左項 | IGBT 元件的底版與導電部分是絕緣的，因此散熱器是接地的，所以將散熱器固定在風道中，元件安裝在散熱器的表面，元件處于風道之外 | ||
| 先進性 | 串級調速的比較初方案產品 | 串級調速的改進方案 | 比較先進方案產品 | ||
| 調速方法差別 | 通過改變逆變器的逆變角β來調速 | 通過改變斬波器的占空比來調速 | 通過改變斬波器的占空比來調速 | ||
| 性能比較 | 諧波干擾 | 逆變角 ?是變數（30o-150o），隨著?角的增大諧波干擾增加 | 逆變角固定在β=30°，諧波干擾較小且固定 | 逆變角比較小，諧波干擾比較小 | |
| 功率因數 | 隨著β角的增大功率因數降低； | 功率因數比串級調速方案高，因為逆變器的?=30° | 逆變角比較小，功率因數比可控硅方案高，總功率因數達到0.9以上 | ||
| 調速范圍 | 調速范圍60-90% | 調速范圍50-95% | 調速范圍50-100% | ||
| 體積和 | 轉子電流全部通過逆變器必然造成逆變器體積增大，效率降低，效率95%，由于逆變角β大范圍變化，功率因數低，必然要增加大量補償電容器，所以裝置體積大 | 效率98% | 效率98% | ||
| 啟動性能 | 啟動電流（3.5-4.5）IN | 啟動電流（3.5-4.5）IN |
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| 可維修性 | 可控硅逆變裝置維修性較差，尤其是采用平板型元件時，更換元件不方便，而采用可控硅的斬波器，更是由于其頻繁故障而使其前途受到威脅 | 一方面，IGBT極少故障，第二是模塊結構，即使故障維修也很容易 | |||
| 可靠性比較 | 整 | 由于元件整體置于風道中，表面積聚灰塵，可靠性下降 | 由于元件整體置于風道中，表面積聚灰塵，可靠性下降 | 模塊安裝在風道外，環境好，可靠性高 | |
| 斬 |
| 除上述原因外，可控硅是非自關斷元件，斬波器直通故障頻繁 | 采用獨特的均流技術，保證IGBT的并聯運行絕對可靠； | ||
| 逆 | 除上述原因外，可控硅是非自關斷元件，逆變器極易顛覆，一旦顛覆，經常出現快速熔斷器和可控硅都燒壞故障尤其當電網波動，雷擊出現時更如此 | 除上述原因外，可控硅是非自關斷元件，逆變器極易顛覆，一旦顛覆，經常出現快速熔斷器和可控硅都燒壞故障，尤其當電網波動，雷擊出現時更如此， | IGBT元件是自關斷元件，不存在逆變器顛覆問題，由于IGBT的關斷速度高，能有效切除過電流故障，自保護能力高度有效 | ||